郭鲁正
SK hynix
CEO
郭鲁正，男，韩国籍，1965年11月出生，1994年参加工作，研究生学历，材料工学博士学位。现任SK海力士公司总裁兼首席执行官。
- 1989年—1994年韩国高丽大学材料工学专业研究生学习，先后获硕士、博士学位（期间：在韩国科学技术研究院光电子研究室任研究员）
- 1994年—2014年现代电子产业公司（后为SK海力士公司）历任DRAM工艺开发研究员、工艺开发组长
- 2014年—2017年SK海力士公司未来技术研究院研发副总裁（常务）
- 2017年—2019年SK海力士公司清州工厂负责人（专务）
- 2019年—2021年SK海力士公司制造技术负责人（副社长）
- 2021年—2022年SK海力士公司社长，分管安全开发制造
- 2022年—至今SK海力士公司代表理事社长（总裁兼首席执行官）（期间：2022年—2025年，兼任韩国半导体产业协会会长）
维基百科 · SK hynix所属公司
AI 加速器最关键的 HBM 主力供应商。
公开活动地点
- 92026年6月12日 · 韩国独家：韩国SK海力士计划在纳斯达克上市，消息人士称
- 82026年6月12日 · 韩国清州SK海力士清州工厂再次发生火灾，引发安全担忧
- 72026年6月12日 · 韩国三星与SK海力士盘中逼近涨停 存储芯片板块走强 佰维存储创新高
- 62026年6月11日 · 台湾台北SOD评论：COMPUTEX 2026——SK海力士超越内存，AI工厂时代重塑公司身份
- 52026年6月10日 · 韩国谷歌据报预订英特尔2028年封装超300万颗TPU——SK海力士测试英特尔EMIB封装以整合HBM
- 42026年6月10日 · 韩国韩国SK海力士最早8月寻求美国上市
- 32026年6月8日 · 韩国英伟达与SK海力士签署多年协议，共同开发AI芯片
- 22026年6月8日 · 韩国英伟达与韩国巨头SK集团等达成协议，推动AI热潮
- 12026年6月8日 · 韩国首尔SK海力士与英伟达宣布多年技术合作，推进AI工厂内存发展
本图仅汇总公开报道中出现过的活动地点：地点、顺序与日期未必准确；连线与编号仅为推定动线，不代表实时定位或当前行踪。
事件时间线
独家：韩国SK海力士计划在纳斯达克上市，消息人士称
据两位知情人士透露，韩国存储芯片制造商SK海力士计划选择纳斯达克进行其美国上市，以利用投资者对人工智能相关股票的兴趣。此举旨在借助科技股为主的交易所吸引更多资金，尤其是AI芯片需求旺盛的背景下。SK海力士是HBM（高带宽存储器）的主要供应商，受益于AI热潮。
SK海力士清州工厂再次发生火灾，引发安全担忧
据《朝鲜日报》报道，SK海力士位于韩国清州的工厂再次发生火灾，引发外界对半导体制造安全的担忧。目前火势已被控制，暂无人员伤亡报告，但具体损失和原因仍在调查中。SK海力士是全球领先的存储芯片制造商，此次事故可能影响其生产稳定性。
三星与SK海力士盘中逼近涨停 存储芯片板块走强 佰维存储创新高
韩国存储芯片巨头三星电子和SK海力士在盘中交易中股价逼近涨停，带动存储芯片板块整体走强。中国A股市场的佰维存储也创下历史新高。市场对存储芯片需求复苏的预期增强，推动相关个股表现活跃。
SOD评论：COMPUTEX 2026——SK海力士超越内存，AI工厂时代重塑公司身份
在COMPUTEX 2026上，SK海力士高管首次登台演讲，标志着这家内存半导体公司正从传统存储向AI工厂时代转型。文章探讨了AI工厂如何重塑SK海力士的身份，使其超越内存领域，成为AI基础设施的关键参与者。
谷歌据报预订英特尔2028年封装超300万颗TPU——SK海力士测试英特尔EMIB封装以整合HBM
经过数月测试，谷歌已向英特尔下达订单，计划在2028年由英特尔封装超过300万颗TPU。同时，SK海力士正在测试英特尔的EMIB封装技术，用于HBM集成。这标志着英特尔先进封装业务获得重要客户，并可能改变AI芯片供应链格局。
韩国SK海力士最早8月寻求美国上市
据知情人士透露，韩国存储芯片制造商SK海力士计划最早于8月在美国上市，以利用市场对人工智能相关股票的强劲需求，并扩大投资者基础。此举正值该公司在高带宽存储器（HBM）领域占据领先地位，受益于AI芯片需求激增。
英伟达与SK海力士签署多年协议，共同开发AI芯片
英伟达与SK海力士宣布签署一项多年合作协议，共同开发人工智能芯片。该合作旨在结合英伟达的GPU技术与SK海力士的高带宽存储器（HBM）优势，以提升AI计算性能。此举将进一步巩固双方在AI半导体领域的领先地位，并满足日益增长的AI算力需求。
英伟达与韩国巨头SK集团等达成协议，推动AI热潮
英伟达周一宣布与韩国科技巨头SK海力士和Naver等达成一系列协议，旨在确保关键存储芯片供应以支持其AI雄心，并吸引新客户。这些合作涉及HBM（高带宽内存）等先进技术，进一步巩固英伟达在AI基础设施领域的领导地位。
英伟达与SK海力士签署多年协议，共同开发下一代芯片
英伟达与SK海力士宣布签署一项多年合作协议，共同开发下一代半导体芯片。该合作旨在结合英伟达的GPU架构与SK海力士的存储技术，推动AI和高性能计算领域的创新。双方将共享研发资源，加速产品上市进程。
SK海力士与英伟达宣布多年技术合作，推进AI工厂内存发展
SK海力士与英伟达宣布建立多年技术合作伙伴关系，共同推进面向全球AI工厂建设的下一代内存技术，并加速半导体设计与制造。该协议基于双方多年的深度工程协作，曾助力打造全球最先进的一些系统。
英伟达与SK海力士宣布多年技术合作，推进AI工厂内存发展
英伟达与SK海力士宣布建立多年技术合作伙伴关系，共同开发下一代内存技术，以支持英伟达AI基础设施路线图，并扩大全球AI工厂建设的供应。合作将聚焦于HBM等先进内存解决方案，满足AI训练和推理的算力需求。
英伟达CEO称新Vera芯片将使用SK海力士内存芯片
英伟达CEO黄仁勋宣布，下一代Vera芯片将采用SK海力士的内存芯片。这一合作延续了两家公司在AI芯片领域的紧密关系，SK海力士将提供高带宽内存（HBM）支持Vera芯片的高性能计算需求。该消息在科技行业引发关注，凸显了内存供应商在AI生态系统中的关键作用。
相关市场反应
以下为相关公司的市场参考信息，不构成任何投资建议。